Matériau diélectrique de faible k à base de nanostructures de carbone et procédés de formation dudit matériau diélectrique de faible k

L’invention concerne un materiau dielectrique de faible k pour utilisation dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs, des structures semi-conductrices utilisant le materiau dielectrique de faible k, et des procedes de fabrication dudit materiau dielectrique et de fabrication desdites structures. Le materiau dielectrique de faible k (14) comprend des nanostructures de carbone (16), comme des nanotubes de carbone ou des billes de carbone, caracterisees par un etat electronique isolant. On peut faire passer les nanostructures de carbone a l'etat electronique isolant avant ou apres la formation d’une couche contenant les nanostructures de carbone sur un substrat (10). Une approche pour faire passer des nanostructures de carbone a l'etat electronique isolant est la fluoration.