A process for producing an interlayer dielectric material having different removal rates during a CMP process

Verfahren mit: Bilden einer ersten dielektrischen Schicht (205a) uber einem Transistor (250), der eine Gateelektrodenstruktur (251) aufweist; Bilden eines ersten dielektrischen Zwischenschichtmaterials (205b) uber der ersten dielektrischen Schicht (205a) unter Anwendung eines spezifizierten Vorstufenmaterials, wobei das erste dielektrische Zwischenschichtmaterial (205b) eine erste Abtragsrate in Bezug auf ein spezifiziertes chemisch-mechanisches Polierrezept besitzt; Bilden eines zweiten dielektrischen Zwischenschichtmaterials (205c) uber dem ersten dielektrischen Zwischenschichtmaterial unter Anwendung des spezifizierten Vorstufenmaterials, wobei das zweite dielektrische Zwischenschichtmaterial (205c) eine grosere Abtragsrate in Bezug auf das spezifizierte chemisch-mechanische Polierrezept als die Abtragsrate des ersten Zwischenschichtmaterials besitzt, wobei das erste dielektrische Zwischenschichtmaterial (205b) und das zweite dielektrische Zwischenschichtmaterial (205c) die gleiche Materialzusammensetzung besitzen, und wobei das erste dielektrische Zwischenschichtmaterial (205b) oberhalb der Gateelektrodenstruktur (251) mit einer Dicke groser als eine minimale Dicke (205r) abgeschieden wird und das zweite dielektrische Zwischenschichtmaterial (205c) seitlich von der Gateelektrodenstruktur (251) mit einer Dicke abgeschieden wird, die ein von...