Dopage béryllium de couches InGaAs élaborées par épitaxie jet moléculaire : étude de la compensation

Be doped In x Ga 1-x As epitaxial layers, with concentration level from 10 16 to 5x10 19 at/cm 3 , have been grown lattice matched on InP substrate by molecular beam epitaxy. Room temperature Hall effect measurements, indicate low mobility for P type samples while for low Be doping the conduction can be N type. Secondary Ion Mass Spectroscopy analysis shows that the electrical behavior is linked to the oxygen to beryllium concentration ratio in the layer. The temperature Hall effect measurements show that a surface or an interface N type layer can be created, depending on the oxygen to beryllium ratio concentration and is responsible for the apparent low Hall mobilities Des couches epitaxiales In x Ga 1-x As, elaborees en accord parametrique sur substrat InP par la technique d'epitaxie par jets moleculaires ont ete dopees avec du beryllium de 10 16 a 5x10 19 at/cm 3 . D'apres les mesures electriques, les couches de type P sont fortement compensees et a faible niveau de dopage la conductivite peut etre de type N. Les analyses d'impuretes par sonde ionique montrent que l'oxygene est responsable de ce comportement. Les mesures d'effet Hall, en fonction de la temperature, ont montre que suivant le niveau d'oxygene, il pouvait exister une zone N en surface ou a l'interface avec le substrat InP semiisolant, responsable des faibles mobilites de Hall mesurees