AlGaN／GaN HEMT材料外延技术研究

采用低压MOCVD技术在蓝宝石和SiC衬底上生长了本征GaN和AlGaN／GaNHEMT结构材料。生长过程中采用了EpiTUNE Ⅱ在位监测技术，对材料生长工艺进行了模型分析以及优化控制。在获得具有良好表面形貌、晶体质量以及光荧光谱的GaN本征材料基础上，生长了AlGaN／GaNHEMT结构材料，获得了良好的2DEG性能。