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新しいHfO 2 ベース1T強誘電体不揮発性メモリにおける耐久性劣化原因
新しいHfO 2 ベース1T強誘電体不揮発性メモリにおける耐久性劣化原因
2014
Yurchuk Ekaterina
Mueller Stefan
Martin Dominik
Slesazeck Stefan
Schroeder Uwe
Mikolajick Thomas
Mueller Johannes
Paul Jan
Hoffmann Raik
Sundqvist Jonas
Schloesser Till
Boschke Roman
Van Bentum Ralf
Trentzsch Martin
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