Verfahren zur aufreinigung halogenierter oligosilane

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Aufreinigung halogenierter Oligosilane als reine Verbindung oder Gemisch von Verbindungen mit jeweils mindestens einer direkten Bindung Si-Si, deren Substituenten ausschlieslich aus Halogen oder aus Halogen und Wasserstoff bestehen und in deren Zusammensetzung das Atomverhaltnis Substituent:Silicium mindestens 3:2 betragt, durch Einwirkung mindestens einen Aufreinigungsmittels auf das halogenierte Oligosilan und Isolierung des halogenierten Oligosilans verbesserter Reinheit. Im Stand der Technik werden halogenierte Monosilane wie HSiCl 3 durch Behandlung mit vorzugsweise polymeren organischen Verbindungen enthaltend Aminogruppen aufgereinigt und aus diesen Mischungen abgetrennt. Aufgrund der enthaltenen Aminogruppen ist dieses Verfahren fur halogenierte Oligosilane nicht einsetzbar, da Nebenreaktionen zu einer Zersetzung der Produkte fuhren wurden. Das neue Verfahren soll die gewunschten Produkte in hoher Ausbeute und Reinheit liefern, ohne dass Aminogruppen eingesetzt werden. Die Aufreinigung der halogenierten Oligosilane erfolgt in Anwesenheit spezieller Aufreinigungsmittel, die Kontaminationen wie z.B. FeCl 2 in eine unlosliche und/oder schwerer fluchtige Form uberfuhren. Eine Abtrennung der Produkte schliest die Aufreinigung ab. Dieses Verfahren liefert eine hohe Ausbeute und umgeht die mit dem Stand der Technik verbundenen Probleme, wie z.B. lange Destillationszeiten. Das Verfahren eignet sich zur Aufreinigung von z.B. Si 2 CI 6 , Si 3 CI 8 , Si 4 Cl 10 und hoherer Homologen. Diese finden z.B. bei der Abscheidung von Siliciumnitridschichten in CVD-Prozessen Verwendung.