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Acemap > Paper > 硬さ制御に基づく高表面晶質、低転位GaN自立基板の実現(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)

硬さ制御に基づく高表面晶質、低転位GaN自立基板の実現(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)

2011 
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