半導体レーザ素子、半導体レーザ素子の製造方法、光伝送システム、および、光ディスク装置

【課題】 結晶再成長時における結晶性の乱れによる光閉じ込め特性の変動や素子抵抗の悪化、ＩnＧaＰ層の自然超格子化による水平方向の光閉じ込め特性の変動を無くす。 【解決手段】 活性層２５の上部に形成された第１ＧaＡs半導体層２８上に、ＩnＧaＡsＰエッチストップ層２９およびＡlＧaＡs電流ブロック層３０を形成している。したがって、従来のごとくＩnＧaＰ層を形成する場合に比してＶ族元素中のＰ混晶比が小さい分だけ、エッチング速度が遅くなる。そのため、エッチストップ層２９を除去してストライプ状の溝３３を形成する際のＡlＧaＡs電流ブロック層３０に対するサイドエッチングが抑制され、再成長過程における結晶性の乱れが防止される。したがって、光閉じ込め特性の変動や素子抵抗の悪化を防止できる。さらに、ＩnＧaＡsＰ材料には自然超格子化の問題はない。そのため、自然超格子化による屈折率変動に起因する光閉じ込め特性の変動を防止できる。 【選択図】図１