Procede servant a reduire le cintrage et l'erosion lors de la planarisation par polissage chimico-mecanique (procede cmp)

L'invention concerne un systeme et un procede servant a enlever du metal d'un substrat a l'aide d'une suspension epaisse. L'invention est utile pour le polissage d'un dispositif micro-electronique et, plus particulierement, pour la planarisation chimico-mecanique d'une plaquette semi-conductrice. Le systeme de la presente invention utilise une premiere suspension epaisse et une seconde suspension epaisse, la premiere suspension epaisse presentant une concentration de particules abrasives superieure a celle de la seconde suspension epaisse. Le procede de la presente invention consiste a effectuer un premier polissage a l'aide de la premiere suspension epaisse pour enlever une partie du metal du substrat, puis a effectuer un second polissage a l'aide de la seconde suspension epaisse pour enlever davantage de metal du substrat.