Procédé de fabrication d'un élément magnétorésistif et appareil à chambres multiples pour fabriquer l'élément magnétorésistif

L'invention concerne un procede de fabrication d'un element magnetoresistif comprenant : une premiere etape consistant a preparer un element magnetoresistif ayant un film magnetique et un substrat, une deuxieme etape consistant a graver une zone predeterminee du film magnetique par un procede de gravure ionique reactive, et une troisieme etape consistant a exposer le film magnetique, apres la deuxieme etape, a un plasma d'une densite de courant ionique de 4 x 10-7 A/cm2 ou moins.