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埋め込みヘテロ構造を用いた1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの特性評価 (エレクトロニクスシミュレーション)
埋め込みヘテロ構造を用いた1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの特性評価 (エレクトロニクスシミュレーション)
2016
syoutarou tadano
takasi akira kaneko
kentarou santyuu
Keywords:
Electronic engineering
Vertical-cavity surface-emitting laser
Transistor laser
Materials science
Optoelectronics
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