Procédés de réduction de dislocation de substrat durant un traitement de remplissage d'intervalle

La presente invention porte sur des procedes de reduction de dislocation dans un substrat semi-conducteur entre des tranchees asymetriques. Les procedes peuvent comprendre la gravure d'une pluralite de tranchees sur un substrat semi-conducteur et peuvent comprendre deux tranchees adjacentes de largeur inegale separees par une partie non gravee du substrat. Les procedes peuvent comprendre la formation d'une couche de matiere dielectrique sur le substrat. La matiere dielectrique peut former une couche dans les tranchees situees adjacentes l'une par rapport a l'autre de hauteur sensiblement equivalente sur les deux cotes de la partie non gravee du substrat separant les deux tranchees. Les procedes peuvent comprendre la densification de la couche de matiere dielectrique de telle sorte que le dielectrique densifie dans les deux tranchees de largeur inegale exerce une contrainte sensiblement similaire sur la partie non gravee du substrat qui les separe.