Caractérisation et extraction du schéma équivalent petit signal en bande G de transistor bipolaire à hétérojonction SiGe:C de dernière génération et montrant des performances fT/fmax=300/400 GHz

La validation jusqu’a 220 GHz du modele petit signal de transistors bipolaires a heterojonction Si/SiGe de la technologie B5T de STMicroelectronics de derniere generation est pour la premiere fois presentee. Ce modele equivalent petit signal a ete extrait jusqu’a 110 GHz et valide par des mesures hyperfrequences jusqu’a 220 GHz. Ce travail permet d’envisager la conception de circuits a ces frequences, tels que des amplificateurs large bande dedies au test in-situ.