Verfahren zum Implantieren negativer Wasserstoffionen und Implantierungseinrichtung
1999
Ein Verfahren zum Implantieren negativer Wasserstoffionen umfast folgende Schritte: es wird ein Plasma erzeugt, welches Wasserstoff enthalt. Negative Wasserstoffionen werden in dem Plasma erzeugt. Ein elektrisches Feld wird zwischen dem Plasma und einem Substrat ausgebildet. Negative Wasserstoffionen von dem Plasma werden unter Verwendung des elektrischen Feldes so beschleunigt, das negative Wasserstoffionen in vorbestimmter Tiefe in einem Substrat implantiert werden.
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