Dosimétrie passive des neutrons rapides au moyen des diodes de silicium

Les diodes de silicium sont utilisees depuis plusieurs annees pour la doshetrie des neutrons rapides dans le cas d’irradiation ii de fortes doses, y compris les irradiations accidentelles. Cet article decrit les resultats des tests effectues sur des diodes dune nouvelle fabrication dont il presente egalement une analyse de leurs caracteristiques et des possibilites d’utilisation. Des diodes de deux sensibilites differentes ont ete irradiees aupres du reacteur SILENE (IPSN Valduc) ce qui a permis d’etudier : la reproductibilte des lectures ainsi que l’influence de leur repetition, I’homogeneite des lots de diodes etudiees, l’evolution du signal en fonction du temps apres l’irradiation, l’influence du traitement thermique apres irradiation sur cette evolution, la reponse de deux types de diodes testes aux neutrons du reacteur SILENE dans deux configurations differentes, le seuil de detection exprime en kerma du aux neutrons dans le tissu. Les resultab obtenus sont presentes, analyses et discutes. Enfin, les principales connaissances acquises sont resumees dans la conclusion. Fast neutrons passive dosimetry with Si - diodes. Since severai years, Si-diodes have heen used for the fast neutron dosimetry in the case of high level exposure, accidental enclosed. This work describes the results of tests performed with the diodes of a new production, presents their characteristics and the analysis of the possibilities of their use. The diodes of two dif€erent sensitivities were irradiated at the SILENE reactor (IBN Valduc). We studied: the reproducihility of reading and the influence of its repetition, the homogeneity of the lot of diodes studied, the evolution of the signal with the time after irradiation, the influence of the thermal treatment on this evolution, the response of two types of diodes to the neutrons of SILENE reactor in two configurations, the detection threshold expressed in tissue kerma. The results obtained are presented, analysed and discussed. The principal knowledge is formulated in the conclusion.