Field effect transistor and method of forming a fet

FET, der auf einem Substrat (104) angeordnet ist, wobei der FET aufweist: einen Kanalbereich (112), der in dem Substrat (104) ausgebildet, ein erstes einschichtiges Gatedielektrikum (116), das uber dem Kanalbereich (112) angeordnet ist, wobei das erste Gatedielektrikum (116) einen ersten thermischen Ausdehnungskoeffizienten besitzt, eine erste Gateelektrode (114), die uber dem ersten Gatedielektrikum (116) angeordnet ist, wobei die erste Gateelektrode (114) einen zweiten thermischen Ausdehnungskoeffizienten besitzt, wobei der erste thermische Ausdehnungskoeffizient groser ist als der zweite thermische Ausdehnungskoeffizient.