Module semiconducteur à ailette de dissipation thermique

L'invention concerne un module semiconducteur de puissance ayant une ailette de dissipation thermique qui est produit a bas cout, ledit module semiconducteur de puissance etant apte a reduire la resistance thermique avec d'excellentes caracteristiques de dissipation thermique, et ayant une fiabilite elevee par suppression des interferences thermiques parmi une pluralite de puces semiconductrices. Un module semiconducteur (100) ayant une ailette de dissipation thermique comprend : une base metallique (1) comportant une partie de panneau superieur mince (11) et une partie circonferentielle exterieure (15) qui est plus epaisse que la partie de panneau superieur mince (11) ; un substrat isolant (8) qui est monte sur une surface de la partie de panneau superieur mince (11). Le substrat isolant (8) possede, sur sa surface superieure, un film metallique (5) ayant une pluralite de puces semiconductrices (une puce IGBT (3) et une puce FWD (4)) montees par soudage et, sur sa surface inferieure, le film metallique (5) qui est lie a la surface de panneau superieur (11) avec une soudure (6) entre ceux-ci. Le module semiconducteur possede, sur une surface de la base metallique (1), une structure qui encapsule par de la resine le substrat isolant (8), les puces semiconductrices et les conducteurs metalliques necessaires pour la connexion des puces semiconductrices les unes avec les autres. Le module semiconducteur comprend une ailette de dissipation thermique (10) sur l'autre surface de la base metallique (1), ladite surface etant sur le cote inverse du substrat isolant (8).