Old Web
English
Sign In
Acemap
>
Paper
>
534 半導体デバイス配線中のCu/SiN界面局所付着強度に及ぼす銅の結晶方位の影響(OS6-4 先進材料とその機械的性質(4),OS6 先進材料とその機械的性質)
534 半導体デバイス配線中のCu/SiN界面局所付着強度に及ぼす銅の結晶方位の影響(OS6-4 先進材料とその機械的性質(4),OS6 先進材料とその機械的性質)
2013
yuka ooura
yuuko sugiyama
nobuyuki sisido
syouzi kamiya
takasi satou
yasuzou koiwa
masahiro nisida
masaki oomiya
kisi suzuki
yuuzi nakamura
tosiaki suzuki
tuyosi nokubi
Keywords:
Mechanical engineering
Electronic engineering
Materials science
adhesion strength
Nanotechnology
Correction
Source
Cite
Save
Machine Reading By IdeaReader
0
References
0
Citations
NaN
KQI
[]