Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur

L'invention concerne un procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur consistant a former, sur une region d'oxyde de silicium (5) situee a proximite d'une region de silicium monocristallin (4) au niveau de la surface (3) d'un corps semi-conducteur (1), une couche non monocristalline auxiliaire (8). Cette couche auxiliaire est formee en deux etapes. Au cours de la premiere etape, le corps de silicium est chauffe dans une atmosphere renfermant un compose arsenique gazeux; au cours de la seconde etape, il est chauffe dans une atmosphere renfermant un compose de silicium gazeux a la place du compose arsenique. Par consequent, les regions d'oxyde de silicium presentent une couche de germe de silicium amorphe ou polycristallin d'une maniere auto-alignee.