Resines organosilicate utilisees comme masques durs d'elements de composants dielectriques polymere dans la fabrication de dispositifs micro-electroniques

La presente invention concerne un procede qui consiste a prendre un substrat, a former une premiere couche sur ce substrat, cette premiere couche possedant une constante dielectrique inferieure a 3,0 et comprenant un polymere organique, a appliquer une resine organosilicate sur cette premiere couche, a retirer une partie de cette resine organosilicate de facon a exposer une partie de la premiere couche, et a retirer les parties exposees de cette premiere couche. Cette invention concerne aussi un circuit integre comprenant un substrat actif contenant des transistors et une structure d'interconnexion electrique contenant un schema de traces metalliques separes, au moins partiellement, par des couches ou des regions d'un materiau polymere organique possedant une constante dielectrique inferieure a 3,0 et comprenant aussi une couche d'une resine organosilicate au dessus d'au moins une couche de ce materiau polymere organique.