Elément photovoltaïque et son procédé de fabrication

Cet element photovoltaique est dote de : un film semi-conducteur amorphe d'un premier type de conductivite (une couche de silicium amorphe de type n (5)) sur une surface d'un substrat de silicium monocristallin de type n (1) servant comme substrat semi-conducteur, ladite surface etant sur le cote oppose de la surface d'incidence de lumiere ; un premier film semi-conducteur conducteur (une premiere couche d'oxyde d'indium (9)) ayant une faible concentration de support sur le semi-conducteur amorphe ; et un second film semi-conducteur conducteur (une seconde couche d'oxyde d'indium (10)) ayant une concentration elevee de support sur le premier film semi-conducteur conducteur. Des particules fines isolantes (8) sont contenues dans le premier film semi-conducteur conducteur ayant une faible concentration de support. En consequence, l'adsorption sur le film semi-conducteur conducteur n'a pas lieu et aucune perte n'est provoquee meme si la lumiere est diffusee et que la longueur du trajet optique est augmentee. De plus, un bon equilibre est atteint entre la suppression d'absorption infrarouge et l'augmentation de la longueur du trajet optique au moyen de diffusion efficace, de telle sorte qu'une efficacite de conversion elevee peut etre obtenue sans provoquer de deterioration des caracteristiques electriques meme si un substrat semi-conducteur mince de 100 µm au moins est utilise.