MICROSTRIP BAND-PASS FILTER WITH DUAL TUNING OF WORKING CHARACTERISTICS

Вступ Базовим елементом для створення надвисокочастотних (НВЧ) частот-но-селективних компонентів сучасних радіотехнічних засобів зв’язку та телекомунікації є діелектричні резонатори (ДР). До основних параметрів ДР відносяться резонансна частота та власна добротність, значення яких залежать від діелектричної проникності та тангенсу кута діелектричних втрат матеріалу, з якого виготовлений ДР, форми та розмірів резонатора, а також оточуючих ДР металевих та діелектричних елементів НВЧ констру-кції [1]. Використання в НВЧ фільтрах перестроюваних, бажано електронним способом, компонент призводить до суттєвого розширення функціональ-них можливостей таких пристроїв [2]. Так, можливість перестройки центральної частоти частотно-селективних приладів дозволяє зменшити масо-габаритні характеристики та вартість приймально-передавальної апа-ратури за рахунок заміни кількох фільтрів з фіксованими параметрами на один перестроюваний, а також створити нові пристрої аналогової обробки сигналу, частотні характеристики яких будуть адаптуватись до характери-стик сигналу, який обробляється. Перестройка характеристик ДР традиційно виконується шляхом його об’єднання з матеріалом, діелектричну або магнітну проникність якого можна змінювати зовнішнім впливом. При перестройці ДР електричним полем, до їх складу може входити сегнетоелектрик з керованою електрич-ним полем діелектричною проникністю [3] або зосереджені елементи на основі варакторів [4]. Перевагами перестройки ДР електричним полем, у порівнянні, наприклад, з магнітною перестройкою, є малі інерційність та енергоспоживання. Однак практичне застосування перестройки резонанс-ної частоти ДР електричним полем з використанням сегнетоелектричних