Précurseurs pour un remplissage de vide par du dioxyde de silicium

L'invention concerne une structure a tranchee entierement remplie comprenant un substrat de dispositif microelectronique ayant une tranchee a rapport de longueur eleve en son sein et une masse de dioxyde de silicium entierement remplie dans la tranchee, le dioxyde de silicium etant d'un caractere sensiblement exempt de vide et ayant une densite sensiblement uniforme dans toute sa masse. L'invention concerne aussi un procede correspondant de fabrication d'un produit semi-conducteur, mettant en jeu l'utilisation de compositions de precurseur de silicium specifiques a utiliser dans le remplissage complet d'une tranchee d'un substrat de dispositif microelectronique, la composition de precurseur de dioxyde de silicium etant traitee pour faire se derouler des reactions d'hydrolyse et de condensation pour la formation du materiau du dioxyde de silicium sensiblement exempt de vide et a densite sensiblement uniforme dans la tranchee. La procedure de remplissage peut etre realisee avec une composition de precurseur de remplissage comprenant du silicium et du germanium, afin de produire une structure de dispositif microelectronique comprenant un materiau de remplissage de tranchee GeO2/SiO2. Un composant suppresseur, par exemple du methanol, peut etre employe dans la composition de precurseur de remplissage, afin d'eliminer ou de minimiser la formation de veine dans le materiau de remplissage de tranchee durci.