Semi-conducteur à oxyde, transistor à film mince et leurs procédés de production
2007
L'invention concerne un semi-conducteur a oxyde presentant une structure amorphe, permettant d'obtenir une mobilite elevee et une concentration reduite en porteurs. L'invention concerne en outre un transistor a film mince, un procede de production d'un semi-conducteur a oxyde, ainsi qu'un procede de production d'un transistor a film mince. L'invention a specifiquement pour objet un semi-conducteur a oxyde, caracterise en ce qu'il est compose d'un oxyde amorphe represente par la formule generale suivante: Inx+1MZny+1SnZO(4+1.5x+y+2z) (dans laquelle M designe Ga ou Al, 0 ≤ x ≤ 1, -0.2 ≤ y ≤ 1.2, z ≥ 0.4 et 0.5 ≤ (x + y)/z ≤ 3). Ce semi-conducteur a oxyde est de preference soumis a un traitement thermique en atmosphere gazeuse oxydante, apres formation d'un film. L'invention a en outre specifiquement pour objet un transistor a film mince, caracterise en ce qu'il comprend le semi-conducteur a oxyde precite.
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