Diode laser a semi-conducteurs en nitrure du groupe iii

La presente invention concerne une diode laser a semi-conducteurs en nitrure du groupe III capable d'oscillation laser a un faible seuil. Un substrat support (13) presente une surface principale semi-polaire ou non polaire (13a). L'axe c (Cx) du nitrure du groupe III est oblique par rapport a la surface principale (13a). Une region de placage de type N (15) et une region de placage de type P (17) sont disposees sur la surface principale (13a) du substrat de support (13). Une region de cœur semi-conductrice (19) est disposee entre la region de placage de type N (15) et la region de placage de type P (17). La region de cœur semi-conductrice (19) comporte une premiere couche de guidage de lumiere (21), une couche active (23), et une seconde couche de guidage de lumiere (25). La couche active (23) est disposee entre la premiere couche de guidage de lumiere (21) et la seconde couche de guidage de lumiere (25). L'epaisseur (D19) de la zone de cœur semi-conductrice (19) est egale ou superieure a 0,5 µm. Grâce a cette structure, il n'y a aucune fuite de lumiere vers le substrat support (13) et la lumiere peut etre confinee vers la region de cœur semi-conductrice (19), permettant ainsi la reduction du courant de seuil.