Intégration monolithique d'éléments photoniques et électroniques dans des traitements de cmos

L'invention concerne l'integration monolithique d'elements photoniques et electroniques dans des traitements de CMOS et peut comprendre la fabrication de dispositifs photoniques et electroniques sur une seule tranche de CMOS avec differentes epaisseurs de couche de silicium. Les dispositifs peuvent etre fabriques sur une tranche de semi-conducteurs sur isolant (SOI) en utilisant un traitement de CMOS sur silicium et/ou sur une tranche SOI en utilisant un traitement CMOS sur SOI. Les differentes epaisseurs peuvent etre fabriquees en utilisant un double traitement sur SOI et/ou un traitement de croissance en surface selectif. Des couches de gaine peuvent etre fabriquees en utilisant un ou plusieurs implants d'oxygene et/ou en utilisant un oxyde de tranchee de CMOS sur la tranche de CMOS. Du silicium peut etre depose sur l'oxyde de tranchee de CMOS en utilisant une surcroissance laterale epitaxiale. Des couches de gaine peuvent etre fabriquees en utilisant une gravure cote arriere selective. Des surfaces reflechissantes peuvent etre fabriquees en deposant un metal sur les regions gravees de maniere selective. Du dioxyde de silicium ou du germanium-silicium integre dans la tranche de CMOS peut etre utilise en tant que couche d'arret de gravure.