PbFe 12 O 19 单晶体中的位错蚀斑研究

应用50％HCl作为浸蚀剂,对助熔法生长的PbFe 12 O 19 单晶体的(0001)解理面进行了浸蚀,以显示位错蚀斑。根据蚀斑所具有的形态,将其进行了分类,并确定了各自对应的位错类型。应用Mathews等人提出的机制,解释了在(0001)基面上所观察到的位错蚀斑阵列。