Procédé de formation de film pour un semi-conducteur

La presente invention peut etre un dispositif semi-conducteur comprenant un film isolant fluore et un film SiCN depose sur le film isolant fluore directement, ou une densite d'azote dans le film SiCN decroit a partir de l'interface entre le film isolant fluore et le film SiCN. Dans la presente invention, le film SiCN qui est fortement resistant au fluor pres de l'interface avec le film CFx et a une faible constante dielectrique dans l'ensemble peut etre forme comme un masque dur.