RF-PECVD法制备高Ge含量微晶Si-Ge薄膜及太阳电池

采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术，研究了衬底温度对高Ge含量（≈50％）微晶Si-Ge（vc-SiGe：H）薄膜结构特性和电学特性的影响。结果表明：较低的衬底温度会抑制μc-SiGe：H薄膜（220）晶向的择优生长；而当衬底温度过高时，μc—SiGe：H薄膜的O含量和微结构因子较大。在衬底温度为200℃时，获得了光电特性和结构特性较优的高Ge含量弘c—SiGe：H薄膜。将优化好的Vtc-SiGe：H薄膜应用到电池中，在本征层为600nm的情况下，获得了转换效率为3．31％（Jsc=22．5mA／cm2，Voc=0．32V，FF=0．46）的单结gc-SiGe：H电池，电池在1100nm处的光谱响应达5．49％。