硒铟镓银单晶体（112）面蚀坑形貌观察

研究出一种能在室温下对AgGa0.8In0.2Se2晶体（112）面进行择优腐蚀的新腐蚀液配方，提出了一种适合AgGa0.8In0.2Se2晶体择优腐蚀的新工艺。采用改进的Bridgman法生长出AgGa0.8In0.2Se2晶体，对晶体进行定向切割出（112）面晶片；然后对晶片进行研磨、机械抛光，使其表面平整无划痕；再将晶片用新腐蚀液，浓HNO3（65％-68％）：浓HCl（35％-38％）=1：2．5（体积比），在室温下腐蚀5min，同时进行超声振荡。采用金相显微镜对腐蚀后的晶片表面进行观察，发现清晰的蚀坑形貌，形状近似为正三角形，并对（112）面蚀坑的形成及其形貌成因进行了理论分析。