Analysis of vapor-deposited silicon carbide films on silicon ribbon surfaces

SiC formation on ribbon surfaces grown by the capillary action shaping technique via vapor phase deposition is reported. This deposition is very active during the seeding phase and during the initial growth period of the ribbon. Such films degrade the minority carrier lifetime in the ribbon. The films are analyzed through transmission electron microscopy. It is shown that SiC dendrites grow on the ribbon surface by expitaxial deposition. The epitaxial relationship between Si and SiC (carbide) is determined. Es wird uber die SiC-Bildung auf Streifenoberflachen berichtet, die mittels Kapillarwirkungs-technik uber Niederschlag aus der Dampfphase gezuchtet wurden. Dieser Niederschlag ist sehr aktiv wahrend der Keimphase und wahrend der anfanglichen Wachstumsperiode der Streifen. Derartige Schichten werden mittels Transmissionselektronenmikroskopie analysiert. Es wird gezeigt, das SiC-Dendriten auf der Streifenoberflache durch epitaktischen Niederschlag wachsen. Die Epitaxiebeziehungen zwischen Si und SiC werden bestimmt.