Computer simulation of the inverse Stefan problem in conformity with the liquid phase epitaxy of Hg1−xMnxTe

On effectue une simulation par ordinateur du probleme d'inverse de Stefan, en conformite avec l'epitaxie de la phase liquide de Hg 1-x Mn x Te. Dans ce semiconducteur, la bande interdite d'energie depend de la composition. Ceci permet d'indiquer une correlation mutuelle sans ambiguite x(r)↔T(t). La methode peut etre generalisee aux cas de la croissance des monocristaux et des epitaxies electro-liquides et des phases liquides de systemes a plusieurs composantes