Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur mit einem Graben, insbesondere zur Verwendung bei der Herstellung eines Grabenkondensators

Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren fur eine Halbleiterstruktur mit einem Graben (5), insbesondere zur Verwendung bei der Herstellung eines Grabenkondensators, mit den Schritten: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1); Bilden des Grabens (5) in dem Halbleitersubstrat (1); Fullen des Grabens (5) mit einem flussigen Fullmaterial (20) oder einem zerfliesfahigen Fullmaterial (20), welches zumindest einmal im Graben (5) zum Zerfliesen gebracht wird; Ausharten des Fullmaterials (20), so dass das Fullmaterial (20) eine Temperaturbestandigkeit in einem ersten thermischen Prozess mit einer ersten Maximaltemperatur aufweist; Entfernen des Fullmaterials (20) aus dem oberen Bereich des Grabens (5) bis zu einer Grenzflache (13) zum Definieren eines Kragenbereichs (15) im oberen Bereich des Grabens (5); Vorsehen eines Liners (30) im Kragenbereich (15) auf der Grbenwand in einem zweiten thermischen Prozess mit einer zweiten Maximaltemperatur, welche hochstens nicht wensentlich hoher als die erste Maximaltemperatur ist; Durchbrechen des Liners (30) an der Grenzflache (13) zum Fullmaterial (20) und Entfernen des Fullmaterials (20) aus dem unteren Bereich des Grabens (10'8).