Thermal Performance Analysis of LED with Multichips

包裹和系统水平温度和 10 W 的热压力分布点亮射出二极管(带) 与与 100 带的 4 块芯片和 100 W，芯片用有限元素分析被调查。薄片在在铜 / 钻石上被焊接的一张 Si 表上被安排有很高的电导率的合成蛞蝓。试验性的结果证明最大的温度出现在两二个高力量 LEDs 包裹的薄片。与有 4 薄片数组的 10 W LEDs 包裹相比，热问题由与 100 薄片数组在 100 W LEDs 包裹热叠并且联合引起了是更严肃的。在数组的中心的芯片温度高得多，并且它与在芯片和 LEDs 增加的中心之间的距离减少。大热应力躺在薄片和 solder 之间，它将减少包裹的可靠性。