IGBT mit monolithisch integrierter antiparalleler Diode

Die Erfindung betrifft einen IGBT mit monolithisch integrierter antiparalleler Diode, bei dem die Diodenkathode durch mindestens ein Emittershortgebiet (39) gebildet ist, das im Wesentlichen ausschlieslich im Bereich des Hochvoltrands (31) liegt, so dass p-Emittergebiete (35) des IGBTs im Wesentlichen keine Emitter-Shorts aufweisen. Die Gegenelektrode der Diode besteht erfindungsgemas ausschlieslich aus p-Halbleiterwannen (33) auf der Vorderseite des Bauteils. Besonders bei Anwendungen, wie zum Beispiel Lampballast, bei denen die Diode des IGBTs zunachst im Durchlass betrieben wird, kein hartes Kommutieren erfolgt und die Stromumkehr relativ langsam vonstatten geht, konnen die Emittershortgebiete (39) als Streifen oder als Punkte unter dem Hochvoltrand ausgefuhrt sein. Diese Masnahmen erhohen den horizontalen Bahnwiderstand und verringern dadurch den Snapback-Effekt bei einem IGBT, ohne dass die Robustheit im Randbereich vermindert wird. Gemas einem zweiten Aspekt kann ein erfindungsgemaser IGBT mit einer integrierten antiparallelen Diode in einer Dunnwafertechnologie hergestellt werden, mit der die Dicke des die Innenzone definierenden Substrats kleiner als 200 µm und die Dicke des Emittergebiets bzw. der Emittergebiete und des bzw. der Emittershortgebiete weniger als 1 µm betragt. Zu bevorzugen ist dann ein transparenter Emitter.