Power semiconductor rectifier with annular grooves

Halbleiterbauteil mit einer Anodenelektrode (10), die auf einer ersten Hauptflache eines Halbleitersubstrats mit einem ersten Leitfahigkeitstyp gebildet ist, Schottkykontakten (15, 16), die so gebildet sind, das die Anodenelektrode selektiv in Schottkykontakt mit dem Halbleitersubstrat steht, und einer Kathodenregion (1), die an einer Oberflachenschicht einer zweiten Hauptflache des Halbleitersubstrats gebildet ist, und einer Kathodenelektrode (12), die an der Kathodenregion gebildet ist; mit ringformigen Graben (4) mit vorgegebener Grabenbreite in einer Oberflachenschicht (3) an der ersten Hauptflache des Halbleitersubstrats; erste Schottkykontakte (15), die durch einen Kontakt der Anodenelektrode (10) mit Teilen des Halbleitersubstrats gebildet sind, die innerhalb der Ringe der Graben liegen und die eine ebene Form eines Kreises oder eines Polygons, dessen Ecken auf dem Umfang eines Kreises angeordnet sind, annehmen; und zweite Schottkykontakte (16), die durch einen Kontakt der Anodenelektrode mit Teilen des Halbleitersubstrats, die auserhalb der Ringe der Graben liegen, gebildet sind, dadurch gekennzeichnet, dass gerade Linien, die die...