低温多段烧结、真空压力浸渗制备SiCp／Al电子封装材料

选用W7与W63两种SiC粉末，采用高、低温粘结剂配合，模压成型，850℃空气气氛低温多段烧结，制备出体积分数为65．13％的SiC预制件，真空压力浸渗6063Al合金熔液，得到SiCp／Al复合材料。结果表明：复合材料XRD图谱中未出现明显的Al4C3界面相和SiO2杂相；致密度高；100℃时的热膨胀系数为7．592×10^-6K-1；常温下热导率为172．68／W（m·K）-；4mm×3mm×30mm规格样品的最大弯曲载荷为335．5N，弯曲位移为0．16mm左右；综合性能优良，是优异的电子封装材料。