Dispositif a semi-conducteur a grille isolee et son procede de production

L'invention concerne un dispositif a semi-conducteur a grille isolee, comprenant un substrat semi-conducteur (1) presentant une surface superieure et une grille isolee (21,22) formee sur cette derniere a partir d'une structure stratifiee (2) qui comprend au moins une couche electriquement isolante (22). Au moins une bande (41, 42) de la structure stratifiee (2) est disposee sur une zone de la surface superieure entre une arete de la grille isolee (21,22) et un premier contact principal (6). Un procede de production dudit dispositif a semi-conducteur a grille isolee comprend les etapes consistant a former une fenetre de cellule (3) dans ladite structure stratifiee (2), former au moins un masque de processus (51) qui recouvre partiellement la fenetre de cellule (3) et s'etend de facon a recouvrir au moins partiellement ladite ou lesdites bandes (41, 42) servant d'arete pour le ou les masques de processus (51).