Procede de preparation de polycristaux et de monocristaux d'oxyde de zinc (zno) sur un germe par sublimation activée chimiquement a haute température et dispositif pour sa mise en uvre

Procede de preparation d'oxyde de zinc ZnO polycristallin ou monocristallin sur un germe place dans une enceinte sous atmosphere controlee, par sublimation d'une source d'oxyde de zinc placee dans un creuset a l'interieur de l'enceinte et distant du germe, formation d'especes gazeuses, transport des especes gazeuses, condensation des especes gazeuses sur le germe, recombinaison du ZnO en surface du germe, croissance du ZnO polycristallin ou monocristallin sur le germe, et refroidissement du ZnO polycristallin ou monocristallin, dans lequel : la source d'oxyde de zinc est chauffee par induction a une temperature dite temperature de sublimation de 900 a 1400°C sous une pression de 2 10 -3 atmosphere a 0,9 atmosphere; on genere in-situ du CO en tant qu' activateur de sublimation par apport d'au moins une espece oxydante, ou d'un melange d'une espece oxydante et d' au moins un gaz inerte sur une source de carbone solide placee a l'interieur de l'enceinte; et on realise un controle de la stœchiometrie du ZnO en effectuant un apport localise et a debit regule, par exemple a raison de 1 SCCM a 100 SCCM, d'au moins une espece oxydante, ou d'un melange d' au moins une espece oxydante et d' au moins un gaz inerte, au voisinage d'une interface de croissance du ZnO. Dispositif pour la mise en œuvre du procede.