Procédé de fabrication de silicium cristallin de qualité photovoltaïque par ajout d'impuretés dopantes et cellule photo voltaïque

La fabrication de silicium cristallin de qualite photovoltaique est realisee par cristallisation d'une charge de silicium fondu dont la somme des concentrations initiales en elements dopants donneurs et en elements dopants accepteurs est superieure a 0,1 ppma, et dont chacune des concentrations en elements dopants accepteurs et donneurs est inferieure a 25ppma. Au moins quantite predefinie d'un materiau dopant ayant un coefficient de segregation inferieur a 0,1 est ajoutee a la charge. Cet ajout permet la realisation d'un silicium cristallise dont la difference entre les profils de dopage de type donneurs et accepteur est comprise entre 0,1 et 5ppma sur au moins 50% du silicium solidifie. Un silicium presentant une concentration en au moins l'un des dopants est superieure ou egale a 5ppma et une difference entre ces deux types de dopant inferieure ou egale a 5ppma est integre dans une cellule photovoltaique.