Ｉｉｉ−ｖ族化合物結晶製造方法、種結晶形成基板製造方法、ｉｉｉ−ｖ族化合物結晶、半導体装置、ｉｉｉ−ｖ族化合物結晶製造装置、種結晶形成基板製造装置

【課題】大サイズで、かつ欠陥が少なく高品質なIII−Ｖ族化合物結晶を効率良く製造可能なIII−Ｖ族化合物結晶製造方法を提供する。 【解決手段】基板１１上に複数のIII−Ｖ族化合物種結晶１２ａが形成された種結晶形成基板を提供する種結晶形成基板提供工程と、複数の種結晶１２ａの表面を金属融液に接触させる接触工程と、III族元素とＶ族元素とを金属融液中で反応させることによって、種結晶１２ａを核としてIII−Ｖ族化合物結晶１３を生成させ成長させる結晶成長工程とを含み、結晶成長工程において、III−Ｖ族化合物結晶１３の成長により、複数の種結晶１２ａから成長した複数のIII−Ｖ族化合物結晶１３を結合させる、III−Ｖ族化合物結晶１３の製造方法であって、複数の種結晶１２ａは、基板１１上に形成されたIII−Ｖ族化合物層１２の一部を物理的な加工により除去して形成された種結晶である。 【選択図】図１