Matrice de cellules de memoire a double grille flottante auto-alignee evolutive et procedes de formation de la matrice

L'invention concerne un circuit integre de memoire non-volatile forme d'abord par tirage d'une couche mince dielectrique sur une surface de substrat a semi-conducteur, puis par depot d'une couche d'un materiau conducteur tel que du silicium polycristallin dope sur ladite couche dielectrique, le materiau conducteur etant ensuite separe en rangees et en colonnes de grilles flottantes individuelles. Les diffusions de sources et de drains des cellules dans le substrat sont continument allongees au travers des rangees. Un dielectrique de champ depose entre les rangees des grilles flottantes fournit une isolation electrique entre les rangees. Des tranchees peu profondes peuvent etre comprises entre les rangees sans interrompre la conductivite des diffusions le long de leurs longueurs. Une tranchee profonde remplie par un dielectrique est formee dans le substrat entre la matrice et les circuits peripheriques, en tant qu'isolation electrique. L'invention concerne plusieurs techniques qui augmentent la zone de couplage de champ situee entre les grilles flottantes et une grille de commande. L'invention concerne egalement d'autres techniques qui augmentent l'epaisseur du dielectrique entre les grilles de commande afin que le couplage de champ soit reduit entre celles-ci. L'invention concerne en outre des techniques qui utilisent les grilles de commande pour former un blindage entre les grilles flottantes.