Memoire ferroelectrique et son procede de fabrication

L'invention porte sur un dispositif de memoire ferroelectrique utilisant comme condensateur de memoire un condensateur a couche mince, et comportant une ou plusieurs electrodes superieures de protection, une couche anti-deteriorations placee sur une electrode superieure (8) et des couches interfaces anti-deteriorations placees entre une couche ferroelectrique (7) et une electrode (6), et entre la couche ferroelectrique (7) et l'electrode superieure (8). Au lieu de cela, la couche modifiee de l'interface entre la couche ferroelectrique (7) et l'electrode superieure (8) se trouve reduite. La couche mince ferroelectrique est a peine soumise a la fatigue et au poinconnement et les caracteristiques du corps ferroelectrique se deteriorent peu; la duree de vie de la memoire ferroelectrique est donc longue.