High Characteristic Temperature 1.3μm InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy

我们报导 1.3 m InAs/GaAs 量点(QD ) 的分子的横梁取向附生生长有高典型的温度 T0 的激光。激光的活跃区域由五层的 InAs QD 组成， p 类型调整做。有 4 m 和 1200 m 的洞长度的条纹宽度的设备在不同温度下面在搏动的政体被制作并且测试。它被发现那到象在从 10 的温度范围的 532K 一样 QD 激光高