Transport électronique et émission cyclotron en infra rouge lointain sous pression hydrostatique, dans les hétérojonctions GaAs/GaAlAs et GaInAs/InP

La conductivite d'heterojonctions gaas/gaalas a ete etudiee, dans l'etat de resistance zero, en fonction du champ magnetique et de la temperature. Les resultats montrent que la conductivite est due a un processus de conduction par sauts entre plus proches voisins. Des experiences d'emission landau en infrarouge lointain sur les memes echantillons presentent un fort epaulement sur la raie de resonance cyclotron. Il semble donc que les experiences de transport et d'optique revelent la meme bande d'etats localises. Une explication qualitative de ces resultats est obtenue en supposant la presence d'impuretes de type coulombien pres de l'interface. Des heterojonctions gainas/inp sont aussi etudiees sur des quasi-geometries de corbino. La conductivite presente un caractere actif entre niveaux de landau.