Verfahren zum herstellen eines ii-vi-halbleiter-bauelements

Verfahren zum Herstellen eines II-VI-Halbleiterbauelements, bei dem eine mindestens eine Se- und/oder S-haltige II-VI-Halbleiterschicht aufweisende aktive Schichtenfolge (113) auf einem Substrat (101) aufgebracht wird. Zunachst wird in einer im wesentlichen Se- und S-freien ersten Epitaxiekammer (211, 221) eine Se-freie II-VI-Zwischenschicht (103) auf der Basis von BeTe epitaktisch auf das Substrat (101) aufgewachsen. Nachfolgend wird die aktive Schichtenfolge (113) epitaktisch auf die Se-freie II-VI-Halbleiterschicht (103) aufgewachsen.