Crecimiento por mbe de pozos cuánticos de ingaasn sobre gaas (111)b y (100) para su aplicación en láseres de semiconductor

En este trabajo se presenta el crecimiento por epitaxia de haces moleculares de InGaAsN sobre GaAs (111)B y (100), para su aplicacion al desarrollo de dispositivos optoelectronicos para comunicaciones opticas, basados en la tecnologia bien desarrollada del GaAs. La utilizacion de sustratos GaAs (111)B viene motivada por las propiedades que podrian presentar las heteroestructuras tensionadas crecidas sobre este tipo de orientacion, similares a las del sistema InGaAs/GaAs (111)B: Existencia teorica de un campo piezoelectrico, distintas propiedades para el espesor de capa critico critico y la posibilidad de realizar dispositivos electro-opticos no lineales. Se presenta la dependencia de la calidad optica y estructural de pozos cuanticos de InGaAsN sobre sustratos desorientados de GaAs (111)B con los pa\-ra\-me\-tros de crecimiento: Velocidad de crecimiento, flujo de arsenico, temperatura de sustrato. Esta calidad es estudiada mediante diferentes tecnicas estructurales (Microscopia de Transmision de Electrones, de Fuerza Atomica, de Barrido de Electrones y Nomarski) asi como tecnicas de caracterizacion optica (Fotoluminiscencia y catodoluminiscencia). Se observa como es necesario un elevado flujo de arsenico y una baja temperatura de crecimiento para optimizar la emision de los pozos cuanticos. Para el crecimiento de nitruros diluidos en esta Tesis Doctoral se caracteriza y optimiza un plasma de nitrogeno generado por radiofrecuencia, y se presenta un metodo para caracterizar plasmas usandos en crecimiento in-situ, utilizando para ello una sonda Bayard-Alpert. Mediante este metodo, se puede detectar la presencia de iones llegando sobre el sustrato durante el crecimiento. La aplicacion de campos magneticos para deflectar los iones del plasma demuestra que la calidad estructural y optica de los pozos cuanticos de InGaAsN es muy dependiente de la presencia de iones durante el crecimento: Al reducir la d