三相“UIII”形无气隙可变耦合度耦合电感研究

为了适应多相交错并联磁耦合变换器对耦合电感的要求、降低磁件对其他元器件的电磁干扰，本文提出了一种适用于三相交错并联磁耦合变换器的“UⅢ”形并且可以改变耦合度的无气隙耦合电感结构。分析了其改变电感耦合度的原理，给出了相关磁芯设计的数学表达式，并通过有限元仿真和实验验证了所提“UⅢ”形耦合电感结构的有效性及其磁路模型的可行性。