MOSFET of the same V-groove-type source / drain region and methods for preparing

Ein Verfahren weist das Bereitstellen eines Substrats, welches mindestens erste und zweite benachbarte Gate-Strukturen auf einer Siliciumflache des Substrats enthalt; das Atzen einer V-formigen Nut durch die Siliciumflache zwischen den benachbarten ersten und zweiten Gate-Strukturen, wobei sich die V-formige Nut im Wesentlichen von einem Rand der ersten Gate-Struktur zu einem gegenuber liegenden Rand der zweiten Gate-Struktur erstreckt; das Implantieren einer Source/Drain-Zone in die V-formige Nut und das Silicidieren der implantierten Source/Drain-Zone auf. Der Atzschritt wird vorzugsweise unter Anwendung eines Verfahrens des chemischen Atzens mit einem Gas (CVE) auf HCl-Basis durchgefuhrt, welches an einer Si(111)-Ebene des Siliciumsubstrats (z. B. einer SOI-Schicht) endet. Auserdem wird eine FETs enthaltende Struktur offenbart, welche gemas dem Verfahren hergestellt wird.