烧结温度对PMN-PNN-PZT四元系压电陶瓷微观结构和压电性能的影响

选取PMN-PNN-PZT四元系压电陶瓷准同型相界附近配方，采用传统的氧化物混合合成工艺制备压电陶瓷材料。研究了不同烧结温度对该四元系压电陶瓷微观结构和压电性能的影响，研究结果表明：在1180℃烧结时，晶粒生长很好，晶界处结合致密，压电性能也最好：d33=475pC／N，e33^T/e0=3203，Qm=82，Kp=0．59，tanδ=1．8％。